Fòmilasyon pou patikil koryas, mwayen ak amann SiC yo ta dwe 5:1:4. Nwa SiC jeneralman chwazi kòm materyèl la anvan tout koreksyon pou fabrikasyon brik carbure Silisyòm; konpozisyon chimik li se jan sa a: SiC 98.0%, gratis C 0.5%, Fe 0.2%, ak gratis SiO₂ 0.6%. Pwosesis fabrikasyon yo varye selon metòd lyezon an. Brèf deskripsyon pwosesis yo pou diferan metòd lyezon se jan sa a:
(1) Silisyòm nitrure-brik carbure Silisyòm lye: Kò vèt ki fòme ak patikil SiC koryas, mwayen ak amann ak poud Silisyòm amann yo tire nan yon atmosfè N₂ pi nan 1370 degre. Sa a pwodui yon brik ki gen yon eskèlèt -SiC ak yon matris - ak -Si₃N₄. Ti kantite rezidyèl Silisyòm ak SiO₂ rete nan matris la; kontni relatif nan eleman sa yo varye pa manifakti.
(2) Brik carbure Silisyòm: SiC, poud Silisyòm, ak poud kabòn yo melanje ak modle dapre yon rapò espesifik, Lè sa a, tire nan 1400 degre nan yon atmosfè rediksyon. Nan pifò ka yo, tire se fèt ak brik yo antere l 'nan kabòn. Pandan tire, yon brik ki gen yon eskèlèt -SiC ak yon matris -SiC byen -grenn. -SiC a fòme nan reyaksyon an nan poud Silisyòm amann ak poud kabòn amann pandan tire; pwodui sa a tou gen ti kantite rezidyèl Silisyòm ak kabòn.
(3) Silisyòm oxynitride-kole Silisyòm carbure brik: Lè w ap prepare pakèt pou brik sa yo, pwopòsyon poud Silisyòm amann yo itilize pi ba pase carbure Silisyòm.